第1页：海盗船单条1GB CORSAIR VS1GB667D2 DDRII667内存

DDRII533价格不断下跌导致DDRII667定位有些尴尬，令人庆幸的是DDRII667的价格目前也终于开始松盘，国内知名内存海盗船CORSAIR的DDRII的内存普条送测小熊在线，令人兴奋的是这是两个单条1GB的DDRII667内存，对于高级游戏玩家而言，高频大容量才是正道，诸如《QUAKE4》和《FEAR》等大型游戏1GB已经是标准配置，想更畅快的游戏则需要2GB的内存。DDRII的 降价以及DDR内存UCCC和TCC5颗粒的大批上市，看来大容量高频内存时代已经来临！

海盗船 CORSAIR VS1GB667D2虽然是普条内存，但是还是怕配了漂亮的包装，体现了海盗船CORSAIR内存的高端品牌形象。包装上清楚的著名是“Value Select”经济的选择类内存产品。

CORSAIR VS1GB667D2是UNBUFFER内存,其PCB设计独具一格，布局体现了和其它大众内存的差异，令人看上去舒服。

DDR2采用了4bit Prefetch（数据预取架构），因此DDR2 533内部Cell（存储单元）的工作频率仅为133MHz，这要比DDR400的 200MHz Cell频率还要低。也就是说引入DDR2，可以让内存频率提升回到一个新的起跑线，有了更大的提升空间。

引入DDR2除了速度上的优势外，DDR2 SDRAM仅为1.8V左右的工作电压可以大幅降低内存的功耗，以及减少发热量。DDR2内建终结电阻（ODT），它可以最大限度的减少DRAM模组中的信号反射，提高信号品质。DDR2还具有OCD，也就是离线（Off Chip）驱动校准，它可以调节I/O驱动的阻抗，使信号线的上拉与下拉电阻相等，可以提高信号完整性，增加信号品质。DDR2还有一个明显的优势，它引入了posted CAS，通过使用附加延迟来减少时序的冲突，解决数据“冒泡”问题。在DDR2段交错操作（bank-interleaving operation）时使用4bit突发模式来提高总线利用率。

内存标签，CORSAIR内存的编号“VS1GB667D2"很容易令人理解。采用了正反各8枚内存颗粒，双Bank的设计。由于没有采用更高品级的颗粒，所以成本提高相比DDRII533仅是多了一倍的颗粒，和更优的PCB设计。

内存颗粒打着CORSAIR的LOGO标记,从这里我们能得到一些信息，第二应该为行标识为05年47周的产品，最后一行为单颗64Mb×8bit的产品，单颗64MB 16颗正好1GB容量。

内存保存基本信息的SPD芯片被设计在内存中央部分

内存PCB的边缘我们还可以得到一些CORSAIR VS1GB667D2的一些信息

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