第1页：极为少见采用TSOP封装的DDRII内存

Clever 聪明的，好像带点狡猾的意味...

Smart 聪明的，巧妙的，敏捷的，褒义 :)

作为全球最大的独立内存产品的生产厂商之一，美国Smart内存于2005年中旬进入中国大陆市场，企图重新分配国内内存市场的利润格局，下面是摘录一些关于美国SMART内存厂商的官方介绍：

SMART Modular Technologies——美国世迈科技有限公司拥有完整的芯片产品设计，生产，测试，销售运作链，其目标即为用户提供高性能的可靠型芯片和模组产品，其总部位于美国加利福利亚的弗里蒙特（Fremont,California），拥有完整的设计，研发，生产和销售职能，位于加利福利亚 Irvine的销售机构负责北美和欧洲市场的完整行销工作；目前，SMART——美国世迈科技在国内业务尚未大规模启动的时候，已经在广东的东莞建造了完整的生产基地，该基地拥有和马来西亚和美国国内同样先进的生产线，位于上海的办公机构则负责整个国内地区的行销业务。

国内内存市场被几大厂商所垄断，Smart内存的进入无疑给这各市场又带来了更多活力，这次评测的为Smart DDRII533 512MB unbuffer内存。在Intel 双核心处理器和945PL等产品的低价上市的今天，更多的DDRII内存上架，让消费者又更广泛的选择空间是大家都乐意看到的。

SMART DDRII533内存带有透明的塑料壳包装，标识为美国制造，盒内包括内存和使用说明以及质保二合一的产品资料。这款内存附加了铝壳散热片，散热片设计具有现代感，中央半圆形金属感的扣片，正反打着SMART的标志以及DDR2的标识。

SMART Modular Technologies

DDR2采用了4bit Prefetch（数据预取架构），因此DDR2 533内部Cell（存储单元）的工作频率仅为133MHz，这要比DDR400的 200MHz Cell频率还要低。也就是说引入DDR2，可以让内存频率提升回到一个新的起跑线，有了更大的提升空间。

引入DDR2除了速度上的优势外，DDR2 SDRAM仅为1.8V左右的工作电压可以大幅降低内存的功耗，以及减少发热量。DDR2内建终结电阻（ODT），它可以最大限度的减少DRAM模组中的信号反射，提高信号品质。DDR2还具有OCD，也就是离线（Off Chip）驱动校准，它可以调节I/O驱动的阻抗，使信号线的上拉与下拉电阻相等，可以提高信号完整性，增加信号品质。DDR2还有一个明显的优势，它引入了posted CAS，通过使用附加延迟来减少时序的冲突，解决数据“冒泡”问题。在DDR2段交错操作（bank-interleaving operation）时使用4bit突发模式来提高总线利用率。

SMART DDRII内存内建的终结电阻，这些金手指上方的每条蛇行信号线上串连的电阻，组合成了一整排的阵列排阻，用于防止信号回荡对原始信号进行的干扰，对内存的稳定性和超频性能都有所帮助。

散热片密封并不十分紧密，实际上这个铝制散热片是依靠正反各面两层的专用硅胶贴带固定的，并没有扣卡。尽管如此硅胶贴带仍把散热片和内存颗粒全部接触上，还是可以达到比较理想散热效果的。

作为世界知名大厂，SMART产品提供的标识信息以及防伪以及售后服务都一应俱全。

比较有意思的是这款DDRII内存竟然使用了TSOP针脚封装的内存颗粒，从去年各个内存厂商的信息来看，DDRII内存颗粒都是清一色的FBGA封装。

经过查询，ProMOS科技公司为了提高其在DDR2市场上的渗透力合竞争力，在生产传统的BGA（ball grid array）封装的DDR2产品之外，开始生产TSOP（thin small outline package）的DDR2产品，因为TSOP封装的DDR2产品比传统封装能够获得一个相对较低的花费。
DRAM从DDR过渡到DDR2，封装工艺也在变化。DDR传统采用TSOP，但DDR2一般采用BGA。两种工艺的主要差别是金属连接材料和IC底层材料。

内存颗粒已被标识成了SMART的品牌，无法读出颗粒的原始内容，这也是厂商为了自我宣传的一种方式。生产周期为05年29周，单颗规格是64M*8bit，正面8颗正好搭配成512MB容量。每条内存仅为1 bank。

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第1页：极为少见采用TSOP封装的DDRII内存 第2页：测试方法简介以及533MHz，优化延迟测试 第3页：超频667MHz，延迟最佳化测试及性能参考 第4页：超频711MHz，延迟最佳化测试及性能参考 第5页：超频800MHz，延迟最佳化测试及性能参考 第6页：令人惊讶！超频890MHz，延迟最佳化测试及性能参考 第7页：SMART和TSOP都该刮目相看！最高幅度百分之78！ 全文