领先一步 台积电发布32纳米SRAM芯片

TSMC（台积电）近日发布了首款采用32纳米制造工艺的静态随机存取记忆体（SRAM）芯片，它同时支持模拟和数字功能，规格为2Mb。TSMC是在华盛顿电气电子工程师协会（Institute of Electrical and Electronics Engineers-IEEE）国际会议上发布这款32纳米SRAM芯片的。

32纳米技术将让芯片产品的性能得到极大提升，而且功耗非常的低，晶体管体积进一步缩小，芯片密度得到了提升，而相应的芯片面积也进一步缩小，当然最重要的还是制造成本的降低，这将为制造商带来更多的利润。32纳米制造工艺为用户来带了高密度的SRAM芯片，铜和低介电常数介质（low-k）互联的方法使其成为SoC系统最理想的芯片。

这款SRAM芯片的表面积仅仅为0.15平方微米，采用了193纳米双晶格浸润式光刻（immersion lithography using double patterning）技术。该技术使台积电再次站在了行业的顶峰，随着32纳米技术的不断普及，整个芯片制造业必然将有重要的技术变革，而后续的技术也将很快迎来。

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